汉ev热卖，比亚迪计划自建碳化硅产线
来源：粉体圈
据财联社报道，比亚迪半导体产品总监杨钦耀日前表示，比亚迪车规级的igbt已经走到5代，碳化硅mosfet已经走到3代，第4代正在开发当中。目前在规划自建产线，预计到明年有自己的产线。
其实早在9月中旬，比亚迪半导体凯发官网首页的产品中心芯片研发总监吴海平就表示，随着产能的逐步攀升，以及比亚迪汉的预购量远远超出公司的预期，碳化硅供不应求（注：汉ev也是国内首款批量搭载sicmosfet组件的车型）。在新能源汽车领域，碳化硅主要用于动力控制单元。目前主流车厂仍然使用igbt(绝缘栅双极型晶体管芯片)，但特斯拉model3和比亚迪汉ev车型上已经开始使用sicmosfet(碳化硅功率场效应晶体管)。本则消息中，比亚迪决定建立自己的碳化硅生产线，可能是因为外购已不能满足需求。
而sic广泛应用于新一代电控单元、逆变器、dc-dc变换器以及车载充电器中，据预测，到2020年，电子半导体市场的全球规模将达到431亿美元，到2024年将超过500亿美元。
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